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S300DR

S300DR

참조 용

부품 번호 S300DR
PNEDA 부품 번호 S300DR
설명 DIODE GEN PURP 200V 300A DO9
제조업체 GeneSiC Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 5,994
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 10 - 4월 15 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

S300DR 리소스

브랜드 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호S300DR
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
S300DR, S300DR 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 747.86 KB)
PDFS300JR 데이터 시트 표지
S300JR 데이터 시트 페이지 2 S300JR 데이터 시트 페이지 3

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S300DR 사양

제조업체GeneSiC Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Standard, Reverse Polarity
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)200V
전류-평균 정류 (Io)300A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.2V @ 300A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 100V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Chassis, Stud Mount
패키지 / 케이스DO-205AB, DO-9, Stud
공급자 장치 패키지DO-205AB, DO-9
작동 온도-접합-60°C ~ 200°C

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

500mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

200µA @ 30V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123F

공급자 장치 패키지

SOD-123F

작동 온도-접합

-65°C ~ 125°C

1A3-TP

Micro Commercial Co

제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 40V

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

R-1, Axial

공급자 장치 패키지

R-1

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

VFT2080S-M3/4W

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

80V

전류-평균 정류 (Io)

20A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

920mV @ 20A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

700µA @ 80V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

SCS304AMC

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

650V

전류-평균 정류 (Io)

4A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 4A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

20µA @ 650V

커패시턴스 @ Vr, F

200pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220FM

작동 온도-접합

175°C (Max)

1N1199R

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

다이오드 유형

-

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

-

전류-평균 정류 (Io)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

-

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-

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