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S34MS02G200BHV003

S34MS02G200BHV003

참조 용

부품 번호 S34MS02G200BHV003
PNEDA 부품 번호 S34MS02G200BHV003_202
설명 IC FLASH 2G PARALLEL
제조업체 SkyHigh Memory Limited
단가 견적 요청
재고 있음 8,208
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

S34MS02G200BHV003 리소스

브랜드 SkyHigh Memory Limited
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호S34MS02G200BHV003
분류반도체메모리 IC기억

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S34MS02G200BHV003 사양

제조업체SkyHigh Memory Limited
시리즈*
메모리 유형-
메모리 포맷-
기술-
메모리 크기-
메모리 인터페이스-
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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기술

FLASH - NAND

메모리 크기

32Gb (4G x 8)

메모리 인터페이스

MMC

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.65V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LBGA

공급자 장치 패키지

100-LBGA (14x18)

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Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

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메모리 크기

512Kb (64K x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Dual I/O

시계 주파수

20MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

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패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

MT61M256M32JE-10 AAT:A TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

RAM

기술

SGRAM - GDDR6

메모리 크기

8Gb (256M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

1.25GHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.21V ~ 1.29V

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장착 유형

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패키지 / 케이스

180-TFBGA

공급자 장치 패키지

180-FBGA (12x14)

MT46V64M8BN-5B:D TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR

메모리 크기

512Mb (64M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

700ps

전압-공급

2.5V ~ 2.7V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

60-TFBGA

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60-FBGA (10x12.5)

SST39WF400A-90-4I-M1QE

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Microchip Technology

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

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메모리 크기

4Mb (256K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

40µs

접근 시간

90ns

전압-공급

1.65V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-WFBGA

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