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S34MS04G100BHB003

S34MS04G100BHB003

참조 용

부품 번호 S34MS04G100BHB003
PNEDA 부품 번호 S34MS04G100BHB003
설명 IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA
제조업체 SkyHigh Memory Limited
단가 견적 요청
재고 있음 3,690
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

S34MS04G100BHB003 리소스

브랜드 SkyHigh Memory Limited
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호S34MS04G100BHB003
분류반도체메모리 IC기억

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S34MS04G100BHB003 사양

제조업체SkyHigh Memory Limited
시리즈*
메모리 유형-
메모리 포맷-
기술-
메모리 크기-
메모리 인터페이스-
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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Micron Technology Inc.

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Non-Volatile

메모리 포맷

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기술

FLASH - NOR

메모리 크기

128Mb (8M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

52MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

85ns

접근 시간

85ns

전압-공급

1.7V ~ 2V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

64-TBGA

공급자 장치 패키지

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Winbond Electronics

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

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메모리 크기

16Mb (2M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O

시계 주파수

104MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

50µs, 3ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

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장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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8-SOIC

MT29F4G08ABADAWP-ITX:D TR

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제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

4Gb (512M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

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장착 유형

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시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

8Kb (1K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

100kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.5V ~ 6.0V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

AT27C512R-45JI

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제조업체

Microchip Technology

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EPROM

기술

EPROM - OTP

메모리 크기

512Kb (64K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

45ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-LCC (J-Lead)

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