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S3JHM6G

S3JHM6G

참조 용

부품 번호 S3JHM6G
PNEDA 부품 번호 S3JHM6G
설명 DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
단가 견적 요청
재고 있음 4,356
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 25 - 12월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

S3JHM6G 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호S3JHM6G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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S3JHM6G 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈Automotive, AEC-Q101
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)600V
전류-평균 정류 (Io)3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.15V @ 3A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)1.5µs
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F30pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-214AB, SMC
공급자 장치 패키지DO-214AB (SMC)
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

70V

전류-평균 정류 (Io)

70mA (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 15mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

5ns

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

2pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-523

공급자 장치 패키지

SOT-523

작동 온도-접합

-55°C ~ 125°C

VS-HFA25TB60HN3

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

HEXFRED®

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

25A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.7V @ 25A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

75ns

전류-역방향 누설 @ Vr

20µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2

공급자 장치 패키지

TO-220AC

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

SD101B-TP

Micro Commercial Co

제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

15mA (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

950mV @ 15mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

1ns

전류-역방향 누설 @ Vr

200nA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

작동 온도-접합

125°C (Max)

BYT54A-TAP

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Avalanche

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

1.25A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

100ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

SOD-57, Axial

공급자 장치 패키지

SOD-57

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

VS-8TQ080S-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

80V

전류-평균 정류 (Io)

8A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

720mV @ 8A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

550µA @ 80V

커패시턴스 @ Vr, F

500pF @ 5V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263 (D2Pak)

작동 온도-접합

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