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S400YR

S400YR

참조 용

부품 번호 S400YR
PNEDA 부품 번호 S400YR
설명 DIODE GEN PURP REV 1.6KV DO205AB
제조업체 GeneSiC Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 2,520
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 21 - 6월 26 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

S400YR 리소스

브랜드 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호S400YR
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
S400YR, S400YR 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 752 KB)
PDFS400QR 데이터 시트 표지
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S400YR 사양

제조업체GeneSiC Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Standard, Reverse Polarity
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)1600V
전류-평균 정류 (Io)400A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.2V @ 400A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 50V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Chassis, Stud Mount
패키지 / 케이스DO-205AB, DO-9, Stud
공급자 장치 패키지DO-205AB, DO-9
작동 온도-접합-60°C ~ 200°C

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2.9V @ 5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

40ns

전류-역방향 누설 @ Vr

20µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab

공급자 장치 패키지

TO-220FPAC

작동 온도-접합

175°C (Max)

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Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

90V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

850mV @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 90V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB

공급자 장치 패키지

DO-214AA (SMB)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

SDHF5KM

Semtech

제조업체

Semtech Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

5000V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

14.4V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

150ns

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 5000V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

1N3296A

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1200V

전류-평균 정류 (Io)

100A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 100A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

9mA @ 1200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-205AA, DO-8, Stud

공급자 장치 패키지

DO-205AA (DO-8)

작동 온도-접합

-40°C ~ 200°C

VS-40EPF06-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

40A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.25V @ 40A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

180ns

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-2

공급자 장치 패키지

TO-247AC Modified

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

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