S400YR
참조 용
| 부품 번호 | S400YR |
| PNEDA 부품 번호 | S400YR |
| 설명 | DIODE GEN PURP REV 1.6KV DO205AB |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,520 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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S400YR 리소스
| 브랜드 | GeneSiC Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | S400YR |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
| 데이터 시트 |
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S400YR 사양
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| 다이오드 유형 | Standard, Reverse Polarity |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 1600V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 400A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.2V @ 400A |
| 속도 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | - |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 10µA @ 50V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | - |
| 장착 유형 | Chassis, Stud Mount |
| 패키지 / 케이스 | DO-205AB, DO-9, Stud |
| 공급자 장치 패키지 | DO-205AB, DO-9 |
| 작동 온도-접합 | -60°C ~ 200°C |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 STMicroelectronics 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 600V 전류-평균 정류 (Io) 5A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 2.9V @ 5A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 40ns 전류-역방향 누설 @ Vr 20µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab 공급자 장치 패키지 TO-220FPAC 작동 온도-접합 175°C (Max) |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 Military, MIL-PRF-19500/240 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 600V 전류-평균 정류 (Io) 400mA 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1V @ 400mA 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 50nA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AH, DO-35, Axial 공급자 장치 패키지 DO-35 작동 온도-접합 -65°C ~ 175°C |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 400V 전류-평균 정류 (Io) 500mA 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.3V @ 500mA 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 150ns 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 400V 커패시턴스 @ Vr, F 4pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-219AB 공급자 장치 패키지 Sub SMA 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 M/A-Com Technology Solutions 시리즈 Military, MIL-PRF-19500/578 & /609 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 50V 전류-평균 정류 (Io) 300mA (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.2V @ 100mA 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 6ns 전류-역방향 누설 @ Vr 100µA @ 100V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SQ-MELF, D 공급자 장치 패키지 D-5D 작동 온도-접합 -65°C ~ 175°C |
제조업체 GeneSiC Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 1200V 전류-평균 정류 (Io) 100A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.5V @ 100A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 9mA @ 1200V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스 DO-205AA, DO-8, Stud 공급자 장치 패키지 DO-205AA (DO-8) 작동 온도-접합 -40°C ~ 200°C |
