S4B V6G
참조 용
| 부품 번호 | S4B V6G |
| PNEDA 부품 번호 | S4B-V6G |
| 설명 | DIODE GEN PURP 100V 4A DO214AB |
| 제조업체 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,366 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 7 - 3월 12 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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S4B V6G 리소스
| 브랜드 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | S4B V6G |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
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S4B V6G 사양
| 제조업체 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 시리즈 | - |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 100V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 4A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | - |
| 속도 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | 1.5µs |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 100µA @ 100V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | DO-214AB, SMC |
| 공급자 장치 패키지 | DO-214AB (SMC) |
| 작동 온도-접합 | -55°C ~ 150°C |
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제조업체 Comchip Technology 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 200V 전류-평균 정류 (Io) 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 950mV @ 3A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 35ns 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 200V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-214AB, SMC 공급자 장치 패키지 DO-214AB (SMC) 작동 온도-접합 150°C (Max) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 20V 전류-평균 정류 (Io) 150mA (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.25V @ 50mA 속도 Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 역 복구 시간 (trr) 900ps 전류-역방향 누설 @ Vr 50nA @ 20V 커패시턴스 @ Vr, F 1.5pF @ 0V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AH, DO-35, Axial 공급자 장치 패키지 DO-35 작동 온도-접합 -65°C ~ 175°C |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 300V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.25V @ 1A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 50ns 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 300V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AL, DO-41, Axial 공급자 장치 패키지 DO-204AL (DO-41) 작동 온도-접합 -65°C ~ 150°C |
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