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S5GHE3/57T

S5GHE3/57T

참조 용

부품 번호 S5GHE3/57T
PNEDA 부품 번호 S5GHE3-57T
설명 DIODE GEN PURP 400V 5A DO214AB
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 2,100
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 3 - 11월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

S5GHE3/57T 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호S5GHE3/57T
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
S5GHE3/57T, S5GHE3/57T 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 81.43 KB)
PDFS5GHE3/9AT 데이터 시트 표지
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  • S5GHE3/57T Distributor

S5GHE3/57T 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)400V
전류-평균 정류 (Io)5A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.15V @ 5A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)2.5µs
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 400V
커패시턴스 @ Vr, F40pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-214AB, SMC
공급자 장치 패키지DO-214AB (SMC)
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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제조업체

ON Semiconductor

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

950mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

20pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123W

공급자 장치 패키지

SOD-123FA

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

S42100TS

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

다이오드 유형

-

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

-

전류-평균 정류 (Io)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

-

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-

NSD350HT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

350V

전류-평균 정류 (Io)

200mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 100mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

55ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 350V

커패시턴스 @ Vr, F

5pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-76, SOD-323

공급자 장치 패키지

SOD-323

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

UPS3100/TR13

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

760mV @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

200µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

85pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-216AA

공급자 장치 패키지

Powermite

작동 온도-접합

-55°C ~ 125°C

VS-HFA04TB60SL-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

HEXFRED®

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

4A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2.2V @ 8A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

42ns

전류-역방향 누설 @ Vr

3µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263AB (D²PAK)

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-55°C ~ 150°C

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