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S5J-M3/9AT

S5J-M3/9AT

참조 용

부품 번호 S5J-M3/9AT
PNEDA 부품 번호 S5J-M3-9AT
설명 DIODE GPP 5A 600V DO-214AB
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 4,374
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 5 - 4월 10 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

S5J-M3/9AT 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호S5J-M3/9AT
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
S5J-M3/9AT, S5J-M3/9AT 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 76.98 KB)
PDFS5M-M3/9AT 데이터 시트 표지
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  • S5J-M3/9AT Distributor

S5J-M3/9AT 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)600V
전류-평균 정류 (Io)5A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.15V @ 5A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)2.5µs
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 1000V
커패시턴스 @ Vr, F40pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-214AB, SMC
공급자 장치 패키지DO-214AB (SMC)
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

1.6A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.9V @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

75ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

42pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-277, 3-PowerDFN

공급자 장치 패키지

TO-277A (SMPC)

작동 온도-접합

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

80V

전류-평균 정류 (Io)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

800mV @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 80V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2

공급자 장치 패키지

TO-220-2

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

F1857D1600

Sensata-Crydom

제조업체

Sensata-Crydom

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1600V

전류-평균 정류 (Io)

55A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.4V @ 165A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

작동 온도-접합

-

BYM13-60HE3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

700mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 60V

커패시턴스 @ Vr, F

80pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AB, MELF

공급자 장치 패키지

GL41 (DO-213AB)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

VS-182NQ030PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

180A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

590mV @ 180A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

15mA @ 30V

커패시턴스 @ Vr, F

7700pF @ 5V, 1MHz

장착 유형

Chassis Mount

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