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S5KHE3_A/H

S5KHE3_A/H

참조 용

부품 번호 S5KHE3_A/H
PNEDA 부품 번호 S5KHE3_A-H
설명 DIODE GEN PURP 800V 5A DO214AB
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 6,840
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

S5KHE3_A/H 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호S5KHE3_A/H
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
S5KHE3_A/H, S5KHE3_A/H 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 81.43 KB)
PDFS5GHE3/9AT 데이터 시트 표지
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  • S5KHE3_A/H Distributor

S5KHE3_A/H 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)800V
전류-평균 정류 (Io)5A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.15V @ 5A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)2.5µs
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 800V
커패시턴스 @ Vr, F40pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-214AB, SMC
공급자 장치 패키지DO-214AB (SMC)
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

790mV @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

7mA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

75pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB

공급자 장치 패키지

SMB

작동 온도-접합

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

200mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 100mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

5pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

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SOD-123

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

20ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

18pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB

공급자 장치 패키지

DO-214AA (SMB)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

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ON Semiconductor

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Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

100A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.6V @ 100A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

100ns

전류-역방향 누설 @ Vr

250µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

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전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

300ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1000V

커패시턴스 @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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