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S5MHE3_A/H

S5MHE3_A/H

참조 용

부품 번호 S5MHE3_A/H
PNEDA 부품 번호 S5MHE3_A-H
설명 DIODE GEN PURP 1KV 5A DO214AB
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 16,656
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

S5MHE3_A/H 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호S5MHE3_A/H
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
S5MHE3_A/H, S5MHE3_A/H 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 81.43 KB)
PDFS5GHE3/9AT 데이터 시트 표지
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  • S5MHE3_A/H Distributor

S5MHE3_A/H 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)1000V
전류-평균 정류 (Io)5A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.15V @ 5A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)2.5µs
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 1000V
커패시턴스 @ Vr, F40pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-214AB, SMC
공급자 장치 패키지DO-214AB (SMC)
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

15V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

350mV @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

4mA @ 15V

커패시턴스 @ Vr, F

1120pF @ 5V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AB, SMC

공급자 장치 패키지

SMC

작동 온도-접합

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제조업체

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시리즈

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

4000V

전류-평균 정류 (Io)

300mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

10V @ 100mA

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

2.5µs

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 4000V

커패시턴스 @ Vr, F

3.2pF @ 5V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

Axial

공급자 장치 패키지

Axial

작동 온도-접합

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FES16HT-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

500V

전류-평균 정류 (Io)

16A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 16A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 500V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2

공급자 장치 패키지

TO-220AC

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

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제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Standard, Reverse Polarity

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

35A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 35A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

DO-5

작동 온도-접합

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1N1198

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

다이오드 유형

-

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

-

전류-평균 정류 (Io)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

-

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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작동 온도-접합

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