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S70FL01GSDPBHVC13

S70FL01GSDPBHVC13

참조 용

부품 번호 S70FL01GSDPBHVC13
PNEDA 부품 번호 S70FL01GSDPBHVC13
설명 IC FLASH 1G SPI 80MHZ 24BGA
제조업체 Cypress Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 8,190
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

S70FL01GSDPBHVC13 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호S70FL01GSDPBHVC13
분류반도체메모리 IC기억

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S70FL01GSDPBHVC13 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈FL-S
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NOR
메모리 크기1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스SPI - Quad I/O
시계 주파수66MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스24-TBGA
공급자 장치 패키지24-BGA (8x6)

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메모리 포맷

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기술

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메모리 크기

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메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

5.5ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

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기술

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메모리 크기

32Mb (2M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFBGA

공급자 장치 패키지

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제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

18Mb (512K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3.1ns

전압-공급

2.375V ~ 2.625V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

165-TFBGA (13x15)

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Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR

메모리 크기

512Mb (32M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

5.0ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR

메모리 크기

1Gb (64M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

5ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

60-TFBGA

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