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S70FL01GSDSBHMC13

S70FL01GSDSBHMC13

참조 용

부품 번호 S70FL01GSDSBHMC13
PNEDA 부품 번호 S70FL01GSDSBHMC13
설명 IC NOR
제조업체 Cypress Semiconductor
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

S70FL01GSDSBHMC13 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호S70FL01GSDSBHMC13
분류반도체메모리 IC기억

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S70FL01GSDSBHMC13 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈Automotive, AEC-Q100, FL-S
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NOR
메모리 크기1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스SPI - Quad I/O
시계 주파수80MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 125°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스24-TBGA
공급자 장치 패키지24-BGA (8x6)

관심을 가질만한 제품

IDT71V3577S85PF

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제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

4.5Mb (128K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

8.5ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x14)

MT46V128M8P-6T:A

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR

메모리 크기

1Gb (128M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

167MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

700ps

전압-공급

2.3V ~ 2.7V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

66-TSOP

71V67703S80BQG8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

9Mb (256K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

100MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

8ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-TBGA

공급자 장치 패키지

165-CABGA (13x15)

제조업체

Macronix

시리즈

*

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

MT46H16M32LFCX-5 IT:B

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR

메모리 크기

512Mb (16M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

5.0ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

90-VFBGA

공급자 장치 패키지

90-VFBGA (9x13)

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