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S71PL064JA0BFW0P0G

S71PL064JA0BFW0P0G

참조 용

부품 번호 S71PL064JA0BFW0P0G
PNEDA 부품 번호 S71PL064JA0BFW0P0G
설명 IC FLASH MEMORY SMD
제조업체 Cypress Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,830
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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S71PL064JA0BFW0P0G 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호S71PL064JA0BFW0P0G
분류반도체메모리 IC기억

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  • S71PL064JA0BFW0P0G Distributor

S71PL064JA0BFW0P0G 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈-
메모리 유형-
메모리 포맷-
기술-
메모리 크기-
메모리 인터페이스-
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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-

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장착 유형

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패키지 / 케이스

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제조업체

Microchip Technology

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

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메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

10MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

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접근 시간

-

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-WFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-TDFN (2x3)

93C56C-E/ST

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

2Kb (256 x 8, 128 x 16)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

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쓰기주기 시간-단어, 페이지

2ms

접근 시간

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전압-공급

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장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

IS45S16160D-7TLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM

메모리 크기

256Mb (16M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

143MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5.4ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

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Surface Mount

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71016S15PHGI

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시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

1Mb (64K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

15ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

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Surface Mount

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