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S79FL256SDSMFBG00

S79FL256SDSMFBG00

참조 용

부품 번호 S79FL256SDSMFBG00
PNEDA 부품 번호 S79FL256SDSMFBG00
설명 IC 256 MB FLASH MEMORY
제조업체 Cypress Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 2,358
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 9 - 4월 14 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

S79FL256SDSMFBG00 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호S79FL256SDSMFBG00
분류반도체메모리 IC기억

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S79FL256SDSMFBG00 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈Automotive, AEC-Q100, FL-S
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NOR
메모리 크기512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스SPI - Quad I/O
시계 주파수80MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지16-SOIC

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메모리 크기

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쓰기주기 시간-단어, 페이지

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접근 시간

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전압-공급

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시리즈

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메모리 유형

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메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, DDR II

메모리 크기

18Mb (512K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

250MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

6.3ns

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

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시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EPROM

기술

EPROM - OTP

메모리 크기

4Mb (256K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

120ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

16Kb (1K x 16)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

3MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

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MT44K32M36RB-093E:A TR

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Micron Technology Inc.

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

DRAM

메모리 크기

1.125Gb (32Mb x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

1067MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

8ns

전압-공급

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작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

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