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S85YR

S85YR

참조 용

부품 번호 S85YR
PNEDA 부품 번호 S85YR
설명 DIODE GEN PURP REV 1.6KV 85A DO5
제조업체 GeneSiC Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 6,840
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 19 - 6월 24 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

S85YR 리소스

브랜드 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호S85YR
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
S85YR, S85YR 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 784.78 KB)
PDFS85Y 데이터 시트 표지
S85Y 데이터 시트 페이지 2 S85Y 데이터 시트 페이지 3

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S85YR 사양

제조업체GeneSiC Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Standard, Reverse Polarity
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)1600V
전류-평균 정류 (Io)85A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.1V @ 85A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 100V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Chassis, Stud Mount
패키지 / 케이스DO-203AB, DO-5, Stud
공급자 장치 패키지DO-5
작동 온도-접합-65°C ~ 150°C

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

950mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

22pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

20A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2.2V @ 20A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

90ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D²PAK

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

VS-12FR100M

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard, Reverse Polarity

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io)

12A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.26V @ 38A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-203AA, DO-4, Stud

공급자 장치 패키지

DO-203AA (DO-4)

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

1N4002G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-41

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

MBR40250TG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

SWITCHMODE™

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

250V

전류-평균 정류 (Io)

40A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

970mV @ 40A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

30µA @ 250V

커패시턴스 @ Vr, F

500pF @ 5V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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