SBAS20HT1G
참조 용
| 부품 번호 | SBAS20HT1G |
| PNEDA 부품 번호 | SBAS20HT1G |
| 설명 | DIODE GEN PURP 200V 200MA SOD323 |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 29,778 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 23 - 6월 28 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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SBAS20HT1G 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | SBAS20HT1G |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
| 데이터 시트 |
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SBAS20HT1G 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 200V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 200mA (DC) |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.25V @ 200mA |
| 속도 | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| 역 복구 시간 (trr) | 50ns |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 1µA @ 200V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SC-76, SOD-323 |
| 공급자 장치 패키지 | SOD-323 |
| 작동 온도-접합 | -55°C ~ 150°C |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 eSMP®, TMBS® 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 100V 전류-평균 정류 (Io) 15A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 750mV @ 15A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 400µA @ 100V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-277, 3-PowerDFN 공급자 장치 패키지 TO-277A (SMPC) 작동 온도-접합 -40°C ~ 150°C |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 100V 전류-평균 정류 (Io) 2A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 850mV @ 2A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 100µA @ 100V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-219AB 공급자 장치 패키지 Sub SMA 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 200V 전류-평균 정류 (Io) 30A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.48V @ 30A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 200µA @ 200V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 Die 공급자 장치 패키지 Die 작동 온도-접합 -40°C ~ 150°C |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 eSMP® 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 200V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.05V @ 1A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 40ns 전류-역방향 누설 @ Vr 1µA @ 200V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 MicroSMP 공급자 장치 패키지 MicroSMP 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C |
제조업체 GeneSiC Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Standard, Reverse Polarity 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 100V 전류-평균 정류 (Io) 70A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1V @ 70A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 75ns 전류-역방향 누설 @ Vr 25µA @ 50V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스 DO-203AB, DO-5, Stud 공급자 장치 패키지 DO-5 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
