SBAS20LT1G
참조 용
| 부품 번호 | SBAS20LT1G |
| PNEDA 부품 번호 | SBAS20LT1G |
| 설명 | DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23 |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 21,678 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 25 - 3월 2 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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SBAS20LT1G 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | SBAS20LT1G |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
| 데이터 시트 |
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SBAS20LT1G 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 200V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 200mA (DC) |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.25V @ 200mA |
| 속도 | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| 역 복구 시간 (trr) | 50ns |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 100nA @ 150V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 공급자 장치 패키지 | SOT-23 |
| 작동 온도-접합 | -55°C ~ 150°C |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Powerex Inc. 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 3000V 전류-평균 정류 (Io) 1200A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.45V @ 1500A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 25µs 전류-역방향 누설 @ Vr 150mA @ 3000V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 DO-200AA, A-PUK 공급자 장치 패키지 DO-200AA, R62 작동 온도-접합 - |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 200V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.05V @ 1A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 780ns 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 200V 커패시턴스 @ Vr, F 7.5pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-219AB 공급자 장치 패키지 DO-219AB (SMF) 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 80V 전류-평균 정류 (Io) 100mA 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.2V @ 100mA 속도 Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 역 복구 시간 (trr) 4ns 전류-역방향 누설 @ Vr 500nA @ 80V 커패시턴스 @ Vr, F 4pF @ 0V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지 SC-59-3 작동 온도-접합 125°C (Max) |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 100V 전류-평균 정류 (Io) 6A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1V @ 6A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 50ns 전류-역방향 누설 @ Vr 10µA @ 100V 커패시턴스 @ Vr, F 80pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 R6, Axial 공급자 장치 패키지 R-6 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 800V 전류-평균 정류 (Io) 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1V @ 3A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 800V 커패시턴스 @ Vr, F 25pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-201AD, Axial 공급자 장치 패키지 DO-201AD 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
