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SBCW66GLT1G

SBCW66GLT1G

참조 용

부품 번호 SBCW66GLT1G
PNEDA 부품 번호 SBCW66GLT1G
설명 TRANS NPN 45V 0.8A SOT-23
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 8,802
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 24 - 3월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SBCW66GLT1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SBCW66GLT1G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
SBCW66GLT1G, SBCW66GLT1G 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 83.04 KB)
PDFSBCW66GLT1G 데이터 시트 표지
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SBCW66GLT1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic700mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대)20nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce160 @ 100mA, 1V
전력-최대300mW
주파수-전환100MHz
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23-3 (TO-236)

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전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

150V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

800mV @ 1mA, 10A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 10mA, 5V

전력-최대

800mW

주파수-전환

120MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

공급자 장치 패키지

TO-92MOD

FJL6825TU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

25A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

750V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

3V @ 3A, 12A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

6 @ 12A, 5V

전력-최대

200W

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

공급자 장치 패키지

TO-264-3

BC848B RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 5V

전력-최대

200mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23

MJE5851G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

SWITCHMODE™

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

8A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

350V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

5V @ 3A, 8A

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

5 @ 5A, 5V

전력-최대

80W

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

KSD1691GS

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 200mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

10µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 2A, 1V

전력-최대

1.3W

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-225AA, TO-126-3

공급자 장치 패키지

TO-126-3

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