SBCW72LT1G
참조 용
| 부품 번호 | SBCW72LT1G |
| PNEDA 부품 번호 | SBCW72LT1G |
| 설명 | TRANS NPN 45V 0.1A SOT-23 |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,146 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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SBCW72LT1G 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | SBCW72LT1G |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-단일 |
| 데이터 시트 |
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SBCW72LT1G 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q101 |
| 트랜지스터 유형 | NPN |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 100mA |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 45V |
| Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
| 전류-수집기 차단 (최대) | 100nA (ICBO) |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
| 전력-최대 | 300mW |
| 주파수-전환 | 300MHz |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 공급자 장치 패키지 | SOT-23-3 (TO-236) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 Military, MIL-PRF-19500/393 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 500mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대) 5µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 20 @ 1A, 2V 전력-최대 1W 주파수-전환 - 작동 온도 -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-205AA, TO-5-3 Metal Can 공급자 장치 패키지 TO-5 |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 450mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대) 400nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 20 @ 100mA, 1V 전력-최대 360mW 주파수-전환 - 작동 온도 -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-206AB, TO-46-3 Metal Can 공급자 장치 패키지 TO-46 (TO-206AB) |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 Military, MIL-PRF-19500/512 트랜지스터 유형 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대) 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 1V @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대) 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 5V 전력-최대 500mW 주파수-전환 - 작동 온도 -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지 TO-18 |
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제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - 트랜지스터 유형 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대) 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대) 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 120 @ 100mA, 1V 전력-최대 150mW 주파수-전환 200MHz 작동 온도 125°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지 S-Mini |
