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SCS215AEC

SCS215AEC

참조 용

부품 번호 SCS215AEC
PNEDA 부품 번호 SCS215AEC
설명 DIODE SILICON 650V 15A TO247
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 10,044
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SCS215AEC 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SCS215AEC
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
SCS215AEC, SCS215AEC 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 974.93 KB)
PDFSCS215AEC 데이터 시트 표지
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SCS215AEC 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Silicon Carbide Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)650V
전류-평균 정류 (Io)15A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.55V @ 15A
속도No Recovery Time > 500mA (Io)
역 복구 시간 (trr)0ns
전류-역방향 누설 @ Vr300µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F550pF @ 1V, 1MHz
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247
작동 온도-접합175°C (Max)

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

120A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

910mV @ 120A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

3mA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

2650pF @ 5V, 1MHz

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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작동 온도-접합

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

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다이오드 유형

Avalanche

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

1.5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.15V @ 1.5A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

4µs

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

DO-214AC (SMA)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

MBR5H150VP-G1

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

150V

전류-평균 정류 (Io)

5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

920mV @ 5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

8µA @ 150V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-201AA, DO-27, Axial

공급자 장치 패키지

DO-27

작동 온도-접합

175°C (Max)

AR4PM-M3/87A

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

eSMP®

다이오드 유형

Avalanche

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io)

1.8A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.9V @ 4A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

120ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 1000V

커패시턴스 @ Vr, F

55pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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Microsemi

제조업체

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시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io)

60A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

3V @ 60A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

255ns

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 1000V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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