SCTWA50N120
참조 용
부품 번호 | SCTWA50N120 |
PNEDA 부품 번호 | SCTWA50N120 |
설명 | MOSFET N-CH 1200V 65A HIP247 |
제조업체 | STMicroelectronics |
단가 | 견적 요청 |
재고 있음 | 8,640 |
창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
예상 배송 | 11월 8 - 11월 13 (신속 배송 선택) |
Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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SCTWA50N120 리소스
브랜드 | STMicroelectronics |
ECAD Module | |
Mfr. 부품 번호 | SCTWA50N120 |
분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
데이터 시트 |
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SCTWA50N120 사양
제조업체 | STMicroelectronics |
시리즈 | - |
FET 유형 | N-Channel |
기술 | SiCFET (Silicon Carbide) |
드레인-소스 전압 (Vdss) | 1200V |
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 65A (Tc) |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 20V |
Rds On (최대) @ Id, Vgs | 69mOhm @ 40A, 20V |
Vgs (th) (최대) @ Id | 3V @ 1mA |
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 122nC @ 20V |
Vgs (최대) | +25V, -10V |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1900pF @ 400V |
FET 기능 | - |
전력 손실 (최대) | 318W (Tc) |
작동 온도 | -55°C ~ 200°C (TJ) |
장착 유형 | Through Hole |
공급자 장치 패키지 | HiP247™ |
패키지 / 케이스 | TO-247-3 |
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