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SE10FG-M3/H

SE10FG-M3/H

참조 용

부품 번호 SE10FG-M3/H
PNEDA 부품 번호 SE10FG-M3-H
설명 DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 6,300
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SE10FG-M3/H 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SE10FG-M3/H
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
SE10FG-M3/H, SE10FG-M3/H 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 128.99 KB)
PDFSE10FJHM3/H 데이터 시트 표지
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  • SE10FG-M3/H Distributor

SE10FG-M3/H 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)400V
전류-평균 정류 (Io)1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.05V @ 1A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)780ns
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 400V
커패시턴스 @ Vr, F7.5pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-219AB
공급자 장치 패키지DO-219AB (SMF)
작동 온도-접합-55°C ~ 175°C

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

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전류-평균 정류 (Io)

250mA (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 100mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 250V

커패시턴스 @ Vr, F

2pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.05V @ 5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-201AD, Axial

공급자 장치 패키지

DO-201AD

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

BAQ33-GS18

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

200mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 100mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1nA @ 15V

커패시턴스 @ Vr, F

3pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80

공급자 장치 패키지

SOD-80 MiniMELF

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

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Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

20V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

475mV @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 20V

커패시턴스 @ Vr, F

200pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-201AD, Axial

공급자 장치 패키지

DO-201AD

작동 온도-접합

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ES1JL MHG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.7V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

8pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

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