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SF10AG-B

SF10AG-B

참조 용

부품 번호 SF10AG-B
PNEDA 부품 번호 SF10AG-B
설명 DIODE GEN PURP 50V 1A DO41
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
재고 있음 4,050
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 25 - 11월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SF10AG-B 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SF10AG-B
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
SF10AG-B, SF10AG-B 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 216.25 KB)
PDFSF10JG-B 데이터 시트 표지
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SF10AG-B 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)50V
전류-평균 정류 (Io)1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If950mV @ 1A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)35ns
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 50V
커패시턴스 @ Vr, F75pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AL, DO-41, Axial
공급자 장치 패키지DO-41
작동 온도-접합-65°C ~ 150°C

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Micro Commercial Co

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

Axial, Radial Bend

공급자 장치 패키지

A-405

작동 온도-접합

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Taiwan Semiconductor Corporation

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.7V @ 5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

50pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263AB (D²PAK)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

1N5062GPHE3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

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Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

2µs

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 800V

커패시턴스 @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AC, DO-15, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AC (DO-15)

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

BAS45A,113

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

125V

전류-평균 정류 (Io)

250mA (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 100mA

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

1.5µs

전류-역방향 누설 @ Vr

1nA @ 125V

커패시턴스 @ Vr, F

4pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AG, DO-34, Axial

공급자 장치 패키지

DO-34

작동 온도-접합

175°C (Max)

SDB06S60

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제조업체

Infineon Technologies

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다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

6A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.7V @ 6A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

200µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

300pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D²PAK

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-55°C ~ 175°C

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