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SF66GHA0G

SF66GHA0G

참조 용

부품 번호 SF66GHA0G
PNEDA 부품 번호 SF66GHA0G
설명 DIODE GEN PURP 400V 6A DO201AD
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
단가 견적 요청
재고 있음 4,392
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 12 - 1월 17 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SF66GHA0G 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SF66GHA0G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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SF66GHA0G 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈Automotive, AEC-Q101
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)400V
전류-평균 정류 (Io)6A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.3V @ 6A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)35ns
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 400V
커패시턴스 @ Vr, F50pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-201AD, Axial
공급자 장치 패키지DO-201AD
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

20A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.75V @ 20A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

60ns

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

SOD-93-2

공급자 장치 패키지

SOD-93-2

작동 온도-접합

150°C (Max)

VS-86HF120

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1200V

전류-평균 정류 (Io)

85A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 267A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

9mA @ 1200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-203AB, DO-5, Stud

공급자 장치 패키지

DO-203AB

작동 온도-접합

-65°C ~ 180°C

NSVR0340HT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

250mA (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

590mV @ 200mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

5ns

전류-역방향 누설 @ Vr

6µA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

6pF @ 10V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-76, SOD-323

공급자 장치 패키지

SOD-323

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

SFF1008G C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.7V @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

50pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

공급자 장치 패키지

ITO-220AB

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

GP10-4002E-M3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

*

다이오드 유형

-

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

-

전류-평균 정류 (Io)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

-

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-

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