SF806GHC0G
참조 용
| 부품 번호 | SF806GHC0G |
| PNEDA 부품 번호 | SF806GHC0G |
| 설명 | DIODE GEN PURP 400V 8A TO220AB |
| 제조업체 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,030 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 20 - 2월 25 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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SF806GHC0G 리소스
| 브랜드 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | SF806GHC0G |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
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SF806GHC0G 사양
| 제조업체 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q101 |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 400V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 8A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.3V @ 8A |
| 속도 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | 35ns |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 10µA @ 400V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 |
| 공급자 장치 패키지 | TO-220AB |
| 작동 온도-접합 | -55°C ~ 150°C |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 50V 전류-평균 정류 (Io) 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.5V @ 9A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 150ns 전류-역방향 누설 @ Vr 1µA @ 50V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 E-MELF 공급자 장치 패키지 D-5B 작동 온도-접합 -65°C ~ 175°C |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 30V 전류-평균 정류 (Io) 200mA 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1V @ 100mA 속도 Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 1nA @ 15V 커패시턴스 @ Vr, F 3pF @ 0V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOD-80 Variant 공급자 장치 패키지 SOD-80 QuadroMELF 작동 온도-접합 -65°C ~ 175°C |
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제조업체 Micro Commercial Co 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 200V 전류-평균 정류 (Io) 200mA (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.25V @ 200mA 속도 Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 역 복구 시간 (trr) 50ns 전류-역방향 누설 @ Vr 100nA @ 200V 커패시턴스 @ Vr, F 5pF @ 0V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지 SOT-323 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 Automotive, AEC-Q101 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 150V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 950mV @ 1A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 35ns 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 150V 커패시턴스 @ Vr, F 10pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-219AB 공급자 장치 패키지 Sub SMA 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
