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SFAF2002GHC0G

SFAF2002GHC0G

참조 용

부품 번호 SFAF2002GHC0G
PNEDA 부품 번호 SFAF2002GHC0G
설명 DIODE GEN PURP 100V 20A ITO220AC
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
단가 견적 요청
재고 있음 5,742
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SFAF2002GHC0G 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SFAF2002GHC0G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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SFAF2002GHC0G 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈Automotive, AEC-Q101
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)100V
전류-평균 정류 (Io)20A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If975mV @ 20A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)35ns
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 100V
커패시턴스 @ Vr, F170pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-2 Full Pack
공급자 장치 패키지ITO-220AC
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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Micro Commercial Co

시리즈

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

3000V

전류-평균 정류 (Io)

200mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

5V @ 500mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

300ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 3000V

커패시턴스 @ Vr, F

10pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-41

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

SS3P3LHM3/86A

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

eSMP®

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

470mV @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

250µA @ 30V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-277, 3-PowerDFN

공급자 장치 패키지

TO-277A (SMPC)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

MURS360T3G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.25V @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

75ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AB, SMC

공급자 장치 패키지

SMC

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

MBR10100H

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

SWITCHMODE™

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

800mV @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2

공급자 장치 패키지

TO-220-2

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

P600M-E3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io)

6A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 6A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

2.5µs

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1000V

커패시턴스 @ Vr, F

150pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

P600, Axial

공급자 장치 패키지

P600

작동 온도-접합

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