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SFP9640L

SFP9640L

참조 용

부품 번호 SFP9640L
PNEDA 부품 번호 SFP9640L
설명 MOSFET P-CH 200V 11A TO-220
제조업체 ON Semiconductor
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SFP9640L 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SFP9640L
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
SFP9640L, SFP9640L 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 224.23 KB)
PDFSFP9640L 데이터 시트 표지
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SFP9640L 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)11A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs500mOhm @ 5.5A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs59nC @ 5V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1585pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)98W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-220-3
패키지 / 케이스TO-220-3

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시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1700V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2A (Tj)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.5Ohm @ 1A, 0V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

110nC @ 5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3650pF @ 25V

FET 기능

Depletion Mode

전력 손실 (최대)

568W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-268

패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

BUK7Y29-40EX

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

TrenchMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

26A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

29mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.9nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

492pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

37W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

LFPAK56, Power-SO8

패키지 / 케이스

SC-100, SOT-669

EPC2015

EPC

제조업체

EPC

시리즈

eGaN®

FET 유형

N-Channel

기술

GaNFET (Gallium Nitride)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

33A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4mOhm @ 33A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 9mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11.6nC @ 5V

Vgs (최대)

+6V, -5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1200pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

Die Outline (11-Solder Bar)

패키지 / 케이스

Die

NVD5C454NT4G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

19A (Ta), 82A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.2mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 70µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

32nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1900pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.1W (Ta), 56W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

DPAK

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

FQB5N40TM

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

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QFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

400V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.6Ohm @ 2.25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

13nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

460pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.13W (Ta), 70W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D²PAK (TO-263AB)

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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MAMK2520T2R2M

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TDA06H0SB1

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SF-1206F700-2

SF-1206F700-2

Bourns

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MAX999AAUK+T

MAX999AAUK+T

Maxim Integrated

IC COMP BEYOND-THE-RAILS SOT23-5