SFS1005GHMNG
참조 용
| 부품 번호 | SFS1005GHMNG |
| PNEDA 부품 번호 | SFS1005GHMNG |
| 설명 | DIODE GEN PURP 300V 10A TO263AB |
| 제조업체 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,984 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 26 - 5월 1 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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SFS1005GHMNG 리소스
| 브랜드 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | SFS1005GHMNG |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
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SFS1005GHMNG 사양
| 제조업체 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q101 |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 300V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 10A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.3V @ 5A |
| 속도 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | 35ns |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 1µA @ 300V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 공급자 장치 패키지 | TO-263AB (D²PAK) |
| 작동 온도-접합 | -55°C ~ 150°C |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 WeEn Semiconductors 시리즈 - 다이오드 유형 Silicon Carbide Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 650V 전류-평균 정류 (Io) 4A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.7V @ 4A 속도 No Recovery Time > 500mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 0ns 전류-역방향 누설 @ Vr 170µA @ 650V 커패시턴스 @ Vr, F 130pF @ 1V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-2 공급자 장치 패키지 TO-220AC 작동 온도-접합 175°C (Max) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 150V 전류-평균 정류 (Io) 500mA 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1V @ 100mA 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 25nA @ 125V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AH, DO-35, Axial 공급자 장치 패키지 DO-35 작동 온도-접합 175°C (Max) |
제조업체 STMicroelectronics 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 650V 전류-평균 정류 (Io) 6A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.75V @ 6A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 60µA @ 650V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-2 Insulated, TO-220AC 공급자 장치 패키지 TO-220AC ins 작동 온도-접합 -40°C ~ 175°C |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) - 전류-평균 정류 (Io) 1720A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If - 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 200mA @ 4500V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 DO-200AD 공급자 장치 패키지 BG-D10026K-1 작동 온도-접합 -40°C ~ 140°C |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 200V 전류-평균 정류 (Io) 600mA 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 950mV @ 600mA 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 15ns 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 200V 커패시턴스 @ Vr, F 9pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 T-18, Axial 공급자 장치 패키지 TS-1 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
