SG2013J-883B
참조 용
| 부품 번호 | SG2013J-883B | ||||||||||||||||||
| PNEDA 부품 번호 | SG2013J-883B | ||||||||||||||||||
| 설명 | TRANS 7NPN DARL 50V 0.6A 16JDIP | ||||||||||||||||||
| 제조업체 | Microsemi | ||||||||||||||||||
| 단가 |
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| 재고 있음 | 28,074 | ||||||||||||||||||
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 예상 배송 | 4월 16 - 4월 21 (신속 배송 선택) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * | ||||||||||||||||||
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SG2013J-883B 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | SG2013J-883B |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 |
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SG2013J-883B 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | 7 NPN Darlington |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 600mA |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 50V |
| Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic | 1.9V @ 600µA, 500mA |
| 전류-수집기 차단 (최대) | - |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 900 @ 500mA, 2V |
| 전력-최대 | - |
| 주파수-전환 | - |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | - |
| 공급자 장치 패키지 | 16-CDIP |
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제조업체 시리즈 - 트랜지스터 유형 8 NPN Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대) 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 1.6V @ 500µA, 350mA 전류-수집기 차단 (최대) - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce - 전력-최대 - 주파수-전환 - 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 18-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지 18-PDIP |
