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SGB15N60HSATMA1

SGB15N60HSATMA1

참조 용

부품 번호 SGB15N60HSATMA1
PNEDA 부품 번호 SGB15N60HSATMA1
설명 IGBT 600V 27A 138W TO263-3
제조업체 Infineon Technologies
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SGB15N60HSATMA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SGB15N60HSATMA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
SGB15N60HSATMA1, SGB15N60HSATMA1 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 815.28 KB)
PDFSGB15N60HSATMA1 데이터 시트 표지
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SGB15N60HSATMA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)27A
전류-수집기 펄스 (Icm)60A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic3.15V @ 15V, 15A
전력-최대138W
에너지 전환530µJ
입력 유형Standard
게이트 차지80nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C13ns/209ns
테스트 조건400V, 15A, 23Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지PG-TO263-3

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ON Semiconductor

시리즈

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IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전류-수집기 펄스 (Icm)

75A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 25A

전력-최대

313W

에너지 전환

340µJ (on), 900µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

160nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

48ns/210ns

테스트 조건

600V, 25A, 15Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

770ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3P

APT75GN60B2DQ3G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

155A

전류-수집기 펄스 (Icm)

225A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 75A

전력-최대

536W

에너지 전환

2500µJ (on), 2140µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

485nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

47ns/385ns

테스트 조건

400V, 75A, 1Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

공급자 장치 패키지

-

FGH40T120SQDNL4

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

160A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 40A

전력-최대

454W

에너지 전환

1.4mJ (on), 1.1mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

221nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

46ns/220ns

테스트 조건

600V, 40A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

166ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-4

공급자 장치 패키지

TO-247-4L

STGWT60H60DLFB

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

240A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 60A

전력-최대

375W

에너지 전환

626µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

306nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-/160ns

테스트 조건

400V, 60A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3P

SGL50N60RUFDTU

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제조업체

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 50A

전력-최대

250W

에너지 전환

1.68mJ (on), 1.03mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

145nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

26ns/66ns

테스트 조건

300V, 50A, 5.9Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

100ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

공급자 장치 패키지

TO-264-3

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