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SGH30N60RUFDTU

SGH30N60RUFDTU

참조 용

부품 번호 SGH30N60RUFDTU
PNEDA 부품 번호 SGH30N60RUFDTU
설명 IGBT 600V 48A 235W TO3P
제조업체 ON Semiconductor
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예상 배송 3월 23 - 3월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SGH30N60RUFDTU 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SGH30N60RUFDTU
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
SGH30N60RUFDTU, SGH30N60RUFDTU 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 790.86 KB)
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SGH30N60RUFDTU 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)48A
전류-수집기 펄스 (Icm)90A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.8V @ 15V, 30A
전력-최대235W
에너지 전환919µJ (on), 814µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지85nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C30ns/54ns
테스트 조건300V, 30A, 7Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)95ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지TO-3P

관심을 가질만한 제품

IGB15N65S5ATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

-

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

IRGR4607DPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

11A

전류-수집기 펄스 (Icm)

12A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 4A

전력-최대

58W

에너지 전환

140µJ (on), 62µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

9nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

27ns/120ns

테스트 조건

400V, 4A, 100Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

48ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

D-Pak

ISL9V5045S3S

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

EcoSPARK®

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

480V

전류-수집기 (Ic) (최대)

51A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.6V @ 4V, 10A

전력-최대

300W

에너지 전환

-

입력 유형

Logic

게이트 차지

32nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-/10.8µs

테스트 조건

300V, 1kOhm, 5V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263AB

APT45GP120BG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWER MOS 7®

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전류-수집기 펄스 (Icm)

170A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 45A

전력-최대

625W

에너지 전환

900µJ (on), 904µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

185nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

18ns/102ns

테스트 조건

600V, 45A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 [B]

AOT20B65M1

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

Alpha IGBT™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 20A

전력-최대

227W

에너지 전환

470µJ (on), 270µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

46nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

26ns/122ns

테스트 조건

400V, 20A, 15Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

322ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220

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NP5Q128A13ESFC0E

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MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC

HA7-5147-2

HA7-5147-2

Renesas Electronics America Inc.

IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8CERDIP