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SGW30N60FKSA1

SGW30N60FKSA1

참조 용

부품 번호 SGW30N60FKSA1
PNEDA 부품 번호 SGW30N60FKSA1
설명 IGBT 600V 41A 250W TO247-3
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 2,358
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SGW30N60FKSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SGW30N60FKSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
SGW30N60FKSA1, SGW30N60FKSA1 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 331.7 KB)
PDFSGW30N60FKSA1 데이터 시트 표지
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  • SGW30N60FKSA1 Distributor

SGW30N60FKSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)41A
전류-수집기 펄스 (Icm)112A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 30A
전력-최대250W
에너지 전환1.29mJ
입력 유형Standard
게이트 차지140nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C44ns/291ns
테스트 조건400V, 30A, 11Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지PG-TO247-3

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.3V @ 15V, 35A

전력-최대

400W

에너지 전환

900µJ (on), 3.8mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

140nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

40ns/270ns

테스트 조건

960V, 35A, 3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

40ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3P

RGTV00TS65GC11

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

95A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 50A

전력-최대

276W

에너지 전환

1.17mJ (on), 940µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

104nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

41ns/142ns

테스트 조건

400V, 50A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247N

IRG7PK35UD1-EPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1400V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 20A

전력-최대

167W

에너지 전환

650µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

98nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-/150ns

테스트 조건

600V, 20A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD

IXBH24N170

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

BIMOSFET™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

230A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 24A

전력-최대

250W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

140nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

1.06µs

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD (IXBH)

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 28A

전력-최대

250W

에너지 전환

2.2mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

92nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

30ns/210ns

테스트 조건

960V, 28A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

40ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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패키지 / 케이스

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