SH8J65TB1
참조 용
| 부품 번호 | SH8J65TB1 |
| PNEDA 부품 번호 | SH8J65TB1 |
| 설명 | MOSFET 2P-CH 30V 7A SOP8 |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,640 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 29 - 12월 4 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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SH8J65TB1 리소스
| 브랜드 | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | SH8J65TB1 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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SH8J65TB1 사양
| 제조업체 | Rohm Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 P-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 7A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 29mOhm @ 7A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 18nC @ 5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1200pF @ 10V |
| 전력-최대 | 2W |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 공급자 장치 패키지 | 8-SOP |
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제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능 - 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 27A, 57A Rds On (최대) @ Id, Vgs 4.6mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 16.8nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1080pF @ 15V 전력-최대 25W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지 8-HSOP |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET 유형 N and P-Channel, Common Drain FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V, 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 30A (Tc), 20A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 9.2mOhm @ 9.8A, 10V, 60mOhm @ 5A, 10V, 30mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 23nC, 14nC, 30.2nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1474pF, 1450pF, 1302pF @ 20V, 100V 전력-최대 48W (Tc), 60W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount, Wettable Flank 패키지 / 케이스 Die 공급자 장치 패키지 Die |
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