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SH8K5TB1

SH8K5TB1

참조 용

부품 번호 SH8K5TB1
PNEDA 부품 번호 SH8K5TB1
설명 MOSFET 2N-CH 30V 3.5A SOP8
제조업체 Rohm Semiconductor
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SH8K5TB1 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SH8K5TB1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SH8K5TB1, SH8K5TB1 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 169.75 KB)
PDFSH8K5TB1 데이터 시트 표지
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SH8K5TB1 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)3.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs83mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs3.5nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds140pF @ 10V
전력-최대2W
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOP

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Diodes Incorporated

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

66mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10.3nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

502pF @ 30V

전력-최대

1.8W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

BUK7K32-100EX

Nexperia

제조업체

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시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

29A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

27.5mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

34nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2137pF @ 25V

전력-최대

64W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

LFPAK56D

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제조업체

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FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Logic Level Gate, 5V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9.1mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V

전력-최대

6W

작동 온도

-55°C ~ 125°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

공급자 장치 패키지

8-VSON (3.3x3.3)

FDMS3686S

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

13A, 23A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.7V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

29nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1785pF @ 10V

전력-최대

1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

공급자 장치 패키지

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Diodes Incorporated

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Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.2nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

584pF @ 25V

전력-최대

2.1W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

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