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SH8M70TB1

SH8M70TB1

참조 용

부품 번호 SH8M70TB1
PNEDA 부품 번호 SH8M70TB1
설명 MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A SOP8
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SH8M70TB1 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SH8M70TB1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SH8M70TB1, SH8M70TB1 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 157.24 KB)
PDFSH8M70TB1 데이터 시트 표지
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SH8M70TB1 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)3A, 2.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs1.63Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs5.2nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds180pF @ 25V
전력-최대2W
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOP

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20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.4A, 2.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

65mOhm @ 3.4A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.8nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

320pF @ 10V

전력-최대

1.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

80mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

800mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

800mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

SI4940DY-T1-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

36mOhm @ 5.7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

14nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

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ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

26mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

900pF @ 10V

전력-최대

2.5W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

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Vgs (th) (최대) @ Id

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