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SI1023X-T1-E3

SI1023X-T1-E3

참조 용

부품 번호 SI1023X-T1-E3
PNEDA 부품 번호 SI1023X-T1-E3
설명 MOSFET 2P-CH 20V 0.37A SOT563F
제조업체 Vishay Siliconix
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SI1023X-T1-E3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SI1023X-T1-E3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SI1023X-T1-E3, SI1023X-T1-E3 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 140.72 KB)
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SI1023X-T1-E3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈TrenchFET®
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)370mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id450mV @ 250µA (Min)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs1.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대250mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지SC-89-6

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

145mOhm @ 1.2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.3nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

83pF @ 10V

전력-최대

390mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

6-TSSOP

SI5504BDC-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A, 3.7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

65mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

220pF @ 15V

전력-최대

3.12W, 3.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

1206-8 ChipFET™

SP8J5FU6TB

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

28mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2600pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

DMN3022LFG-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.6A (Ta), 15A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

22mOhm @ 10A, 5V, 8mOhm @ 10A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 250µA, 1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.7nC @ 4.5V, 8nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

481pF @ 15V, 996pF @ 15V

전력-최대

1.96W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

5mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

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입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

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