SI1054X-T1-GE3
참조 용
부품 번호 | SI1054X-T1-GE3 |
PNEDA 부품 번호 | SI1054X-T1-GE3 |
설명 | MOSFET N-CH 12V 1.32A SC89-6 |
제조업체 | Vishay Siliconix |
단가 | 견적 요청 |
재고 있음 | 8,046 |
창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
예상 배송 | 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택) |
Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
SI1054X-T1-GE3 리소스
브랜드 | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
Mfr. 부품 번호 | SI1054X-T1-GE3 |
분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
데이터 시트 |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
PNEDA는 고품질 전자 부품을 고객에게 빠르고 안정적으로 공급함으로써 업계 리더가되기 위해 노력하고 있습니다.
우리의 접근 방식은 고객에게 다음과 같은 세 가지 주요 이점을 입증하는 데 기반을두고 있습니다.
신속한 대응
저희 팀은 귀하의 요청에 신속하게 응답하고 귀하의 부품을 찾기 위해 즉시 작업을 시작합니다.
보장 된 품질
당사의 품질 관리 프로세스는 신뢰성과 성능을 보장하면서 위조품을 보호합니다.
글로벌 액세스
전 세계적으로 신뢰할 수있는 리소스 네트워크를 통해 필요한 특정 부품을 찾아 제공 할 수 있습니다.
Hot search vocabulary
- SI1054X-T1-GE3 Datasheet
- where to find SI1054X-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- Vishay Siliconix SI1054X-T1-GE3
- SI1054X-T1-GE3 PDF Datasheet
- SI1054X-T1-GE3 Stock
- SI1054X-T1-GE3 Pinout
- Datasheet SI1054X-T1-GE3
- SI1054X-T1-GE3 Supplier
- Vishay Siliconix Distributor
- SI1054X-T1-GE3 Price
- SI1054X-T1-GE3 Distributor
SI1054X-T1-GE3 사양
제조업체 | Vishay Siliconix |
시리즈 | TrenchFET® |
FET 유형 | N-Channel |
기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
드레인-소스 전압 (Vdss) | 12V |
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (최대) @ Id, Vgs | 95mOhm @ 1.32A, 4.5V |
Vgs (th) (최대) @ Id | 1V @ 250µA |
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 8.57nC @ 5V |
Vgs (최대) | ±8V |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 480pF @ 6V |
FET 기능 | - |
전력 손실 (최대) | 236mW (Ta) |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
장착 유형 | Surface Mount |
공급자 장치 패키지 | SC-89-6 |
패키지 / 케이스 | SOT-563, SOT-666 |
관심을 가질만한 제품
STMicroelectronics 제조업체 STMicroelectronics 시리즈 UltraFASTmesh™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 15A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 520mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4.5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 40nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1950pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 30W (Tc) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220FP 패키지 / 케이스 TO-220-3 Full Pack |
NXP 제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 TrenchMOS™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 44.7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 2.5V, 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 16mOhm @ 25A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 15.1nC @ 5V Vgs (최대) 12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 800pF @ 20V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 57.6W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D2PAK 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Renesas Electronics America 제조업체 Renesas Electronics America 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 30A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 7.9mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 11nC @ 4.5V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1730pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 15W (Tc) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 LFPAK 패키지 / 케이스 SC-100, SOT-669 |
Infineon Technologies 제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5.3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 60mOhm @ 5.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 25nC @ 10V Vgs (최대) ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 860pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2.5W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 8-SO 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
ON Semiconductor 제조업체 ON Semiconductor 시리즈 QFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 400V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 1Ohm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 20nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 625pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 38W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220F 패키지 / 케이스 TO-220-3 Full Pack |