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SI1467DH-T1-GE3

SI1467DH-T1-GE3

참조 용

부품 번호 SI1467DH-T1-GE3
PNEDA 부품 번호 SI1467DH-T1-GE3
설명 MOSFET P-CH 20V 2.7A SC-70-6
제조업체 Vishay Siliconix
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SI1467DH-T1-GE3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SI1467DH-T1-GE3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
SI1467DH-T1-GE3, SI1467DH-T1-GE3 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 252.37 KB)
PDFSI1467DH-T1-E3 데이터 시트 표지
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SI1467DH-T1-GE3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈TrenchFET®
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)2.7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs90mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs13.5nC @ 4.5V
Vgs (최대)±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds561pF @ 10V
FET 기능-
전력 손실 (최대)1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지SC-70-6 (SOT-363)
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-DFN (5x6)

패키지 / 케이스

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

50A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

11mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.55V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

870pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

45W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB16CN10N G

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

53A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

16.5mOhm @ 53A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 61µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

48nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3220pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

100W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D²PAK (TO-263AB)

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

47A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

13mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.45V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 5V

Vgs (최대)

±10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2230pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

75W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

19mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±22V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

724pF @ 25V

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전력 손실 (최대)

2W (Ta), 50W (Tc)

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