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SI1471DH-T1-E3

SI1471DH-T1-E3

참조 용

부품 번호 SI1471DH-T1-E3
PNEDA 부품 번호 SI1471DH-T1-E3
설명 MOSFET P-CH 30V 2.7A SC70-6
제조업체 Vishay Siliconix
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재고 있음 2,808
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SI1471DH-T1-E3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SI1471DH-T1-E3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
SI1471DH-T1-E3, SI1471DH-T1-E3 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 250.13 KB)
PDFSI1471DH-T1-GE3 데이터 시트 표지
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  • SI1471DH-T1-E3 Distributor

SI1471DH-T1-E3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈TrenchFET®
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)2.7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)2.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs100mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id1.6V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs9.8nC @ 4.5V
Vgs (최대)±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds445pF @ 15V
FET 기능-
전력 손실 (최대)1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지SC-70-6 (SOT-363)
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

220mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.7V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4Ohm @ 400mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.06V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.7nC @ 4.5V

Vgs (최대)

8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

9.5pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

350mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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패키지 / 케이스

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FET 유형

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

19.5A (Ta), 70A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

50nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2500pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

6.2W (Ta), 89W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-252 (DPAK)

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IRFP22N50APBF

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

22A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

230mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

120nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3450pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

277W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247-3

패키지 / 케이스

TO-247-3

IRF510STRLPBF

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.6A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

540mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8.3nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

180pF @ 25V

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전력 손실 (최대)

43W (Tc)

작동 온도

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장착 유형

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.8A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

28mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.45V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

630pF @ 15V

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전력 손실 (최대)

1.4W (Ta)

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