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SI1539DDL-T1-GE3

SI1539DDL-T1-GE3

참조 용

부품 번호 SI1539DDL-T1-GE3
PNEDA 부품 번호 SI1539DDL-T1-GE3
설명 MOSFET N/P-CH 30V SC70-6
제조업체 Vishay Siliconix
단가 견적 요청
재고 있음 5,346
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 25 - 12월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SI1539DDL-T1-GE3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SI1539DDL-T1-GE3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SI1539DDL-T1-GE3, SI1539DDL-T1-GE3 데이터 시트 (총 페이지: 16, 크기: 282.68 KB)
PDFSI1539DDL-T1-GE3 데이터 시트 표지
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  • SI1539DDL-T1-GE3 Distributor

SI1539DDL-T1-GE3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈TrenchFET®
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)700mA (Tc), 460mA (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs388mOhm @ 600mA, 10V, 1.07Ohm @ 400mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 250µA, 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs1.1nC @ 4.5V, 1.2nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds28pF @ 15V, 21pF @ 15V
전력-최대340mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지SC-70-6

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55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

150A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.3mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

105nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

17-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

ISOPLUS-DIL™

IPG20N04S4L11ATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

11.6mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 15µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

26nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1990pF @ 25V

전력-최대

41W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

공급자 장치 패키지

PG-TDSON-8-4

SIZ728DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

16A, 35A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7.7mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

26nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

890pF @ 12.5V

전력-최대

27W, 48W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-PowerPair™

공급자 장치 패키지

6-PowerPair™

PMDXB1200UPEZ

Nexperia

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시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

410mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 410mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

950mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.2nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

43.2pF @ 15V

전력-최대

285mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-XFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

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BSC150N03LDGATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

15mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

13.2nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1100pF @ 15V

전력-최대

26W

작동 온도

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