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SI1553DL-T1-GE3

SI1553DL-T1-GE3

참조 용

부품 번호 SI1553DL-T1-GE3
PNEDA 부품 번호 SI1553DL-T1-GE3
설명 MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
제조업체 Vishay Siliconix
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SI1553DL-T1-GE3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SI1553DL-T1-GE3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SI1553DL-T1-GE3, SI1553DL-T1-GE3 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 127.89 KB)
PDFSI1553DL-T1-GE3 데이터 시트 표지
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SI1553DL-T1-GE3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈TrenchFET®
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)660mA, 410mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs385mOhm @ 660mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id600mV @ 250µA (Min)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs1.2nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대270mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지SC-70-6 (SOT-363)

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드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

40A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9.3mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10.4nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

617pF @ 25V

전력-최대

68W

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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SI4542DY-T1-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 6.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

50nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

VQ2001P

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

4 P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

600mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2Ohm @ 1A, 12V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

150pF @ 15V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

SSM6N15AFE,LM

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7.8pF @ 3V

전력-최대

150mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

ES6 (1.6x1.6)

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제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

370mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 340mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.4nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

18.5pF @ 30V

전력-최대

510mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SC-70-6 (SOT-363)

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