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SI2367DS-T1-GE3

SI2367DS-T1-GE3

참조 용

부품 번호 SI2367DS-T1-GE3
PNEDA 부품 번호 SI2367DS-T1-GE3
설명 MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT-23
제조업체 Vishay Siliconix
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SI2367DS-T1-GE3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SI2367DS-T1-GE3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
SI2367DS-T1-GE3, SI2367DS-T1-GE3 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 240.56 KB)
PDFSI2367DS-T1-GE3 데이터 시트 표지
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  • SI2367DS-T1-GE3 Distributor

SI2367DS-T1-GE3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈TrenchFET®
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)3.8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs66mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs23nC @ 8V
Vgs (최대)±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds561pF @ 10V
FET 기능-
전력 손실 (최대)960mW (Ta), 1.7W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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8A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

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전력 손실 (최대)

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작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

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FET 유형

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1200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

65A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

20V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

69mOhm @ 40A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

122nC @ 20V

Vgs (최대)

+25V, -10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1900pF @ 400V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

318W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

HiP247™

패키지 / 케이스

TO-247-3

TSM60N600CI C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

600mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

13nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

743pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

83W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

ITO-220AB

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

STP6NK90Z

STMicroelectronics

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STMicroelectronics

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

900V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.8A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2Ohm @ 2.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

60.5nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1350pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

140W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

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Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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전력 손실 (최대)

79W (Tc)

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