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SI3433BDV-T1-E3

SI3433BDV-T1-E3

참조 용

부품 번호 SI3433BDV-T1-E3
PNEDA 부품 번호 SI3433BDV-T1-E3
설명 MOSFET P-CH 20V 4.3A 6-TSOP
제조업체 Vishay Siliconix
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SI3433BDV-T1-E3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SI3433BDV-T1-E3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
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SI3433BDV-T1-E3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈TrenchFET®
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)4.3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs42mOhm @ 5.6A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id850mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs18nC @ 4.5V
Vgs (최대)±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
FET 기능-
전력 손실 (최대)1.1W (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지6-TSOP
패키지 / 케이스SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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제조업체

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시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

600mA (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

620mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

950mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.7nC @ 4.5V

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

21.3pF @ 10V

FET 기능

Standard

전력 손실 (최대)

2.7W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

DFN1006-3

패키지 / 케이스

SC-101, SOT-883

SSM3J334R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

U-MOSVI

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

71mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5.9nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

280pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1W (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-23F

패키지 / 케이스

SOT-23-3 Flat Leads

AUIRF2907ZS7PTL

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

75V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

180A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.8mOhm @ 110A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

260nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7580pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

300W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK (7-Lead)

패키지 / 케이스

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

DN2540N8-G

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

400V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

170mA (Tj)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

0V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25Ohm @ 120mA, 0V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

300pF @ 25V

FET 기능

Depletion Mode

전력 손실 (최대)

1.6W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-243AA (SOT-89)

패키지 / 케이스

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IRFH7932TRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

24A (Ta), 104A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.3mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.35V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

51nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4270pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.4W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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