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SI4563DY-T1-E3

SI4563DY-T1-E3

참조 용

부품 번호 SI4563DY-T1-E3
PNEDA 부품 번호 SI4563DY-T1-E3
설명 MOSFET N/P-CH 40V 8A 8-SOIC
제조업체 Vishay Siliconix
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재고 있음 3,438
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SI4563DY-T1-E3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SI4563DY-T1-E3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SI4563DY-T1-E3, SI4563DY-T1-E3 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 130.7 KB)
PDFSI4563DY-T1-GE3 데이터 시트 표지
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  • SI4563DY-T1-E3 Distributor

SI4563DY-T1-E3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈TrenchFET®
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs16mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs85nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2390pF @ 20V
전력-최대3.25W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SO

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2 N-Channel (Dual)

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

14A, 11A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8.7mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

24nC @ 15V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

920pF @ 15V

전력-최대

1.3W, 1.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

14-SOIC

NTMD6601NR2G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

80V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

215mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

400pF @ 25V

전력-최대

600mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

SI4830CDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

LITTLE FOOT®

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

20mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

950pF @ 15V

전력-최대

2.9W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

SIA915DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

87mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

275pF @ 15V

전력-최대

6.5W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

PowerPAK® SC-70-6 Dual

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

17A, 33A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

24nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1150pF @ 15V

전력-최대

3.6W, 4.3W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

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