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SI5944DU-T1-GE3

SI5944DU-T1-GE3

참조 용

부품 번호 SI5944DU-T1-GE3
PNEDA 부품 번호 SI5944DU-T1-GE3
설명 MOSFET 2N-CH 40V 6A 8PWRPAK
제조업체 Vishay Siliconix
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SI5944DU-T1-GE3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SI5944DU-T1-GE3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SI5944DU-T1-GE3, SI5944DU-T1-GE3 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 119.54 KB)
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SI5944DU-T1-GE3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈TrenchFET®
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs112mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs6.6nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds210pF @ 20V
전력-최대10W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스PowerPAK® ChipFET™ Dual
공급자 장치 패키지PowerPAK® ChipFet Dual

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

500mOhm @ 1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

153pF @ 50V

전력-최대

700mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 200µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

685pF @ 10V

전력-최대

500mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-XFLGA

공급자 장치 패키지

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CSD75301W1015

Texas Instruments

제조업체

시리즈

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

100mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.1nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

195pF @ 10V

전력-최대

800mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-UFBGA, DSBGA

공급자 장치 패키지

6-DSBGA (1x1.5)

DMC1015UPD-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

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FET 유형

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FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9.5A, 6.9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

17mOhm @ 11.8A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15.6nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1495pF @ 6V

전력-최대

2.3W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

11A, 8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12.5mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

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