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SI5948DU-T1-GE3

SI5948DU-T1-GE3

참조 용

부품 번호 SI5948DU-T1-GE3
PNEDA 부품 번호 SI5948DU-T1-GE3
설명 MOSFET 2 N-CH 40V 6A POWERPAK
제조업체 Vishay Siliconix
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SI5948DU-T1-GE3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SI5948DU-T1-GE3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SI5948DU-T1-GE3, SI5948DU-T1-GE3 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 388.38 KB)
PDFSI5948DU-T1-GE3 데이터 시트 표지
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  • SI5948DU-T1-GE3 Distributor

SI5948DU-T1-GE3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈TrenchFET®
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)6A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs82mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs2.6nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds165pF @ 20V
전력-최대7W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스PowerPAK® ChipFET™ Dual
공급자 장치 패키지PowerPAK® ChipFet Dual

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

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장착 유형

-

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

-

SI9933CDY-T1-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

58mOhm @ 4.8A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

26nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

665pF @ 10V

전력-최대

3.1W

작동 온도

-50°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

FDS6890A

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

18mOhm @ 7.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

32nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2130pF @ 10V

전력-최대

900mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

22mOhm @ 5.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

60nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6300pF @ 6V

전력-최대

1.25W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

TSMT8

EMH2604-TL-H

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A, 3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

45mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.7nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

345pF @ 10V

전력-최대

1.2W

작동 온도

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