SI5948DU-T1-GE3
참조 용
| 부품 번호 | SI5948DU-T1-GE3 |
| PNEDA 부품 번호 | SI5948DU-T1-GE3 |
| 설명 | MOSFET 2 N-CH 40V 6A POWERPAK |
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 54,540 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 12 - 6월 17 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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SI5948DU-T1-GE3 리소스
| 브랜드 | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | SI5948DU-T1-GE3 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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SI5948DU-T1-GE3 사양
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 시리즈 | TrenchFET® |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 40V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 6A (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 82mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 2.6nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 165pF @ 20V |
| 전력-최대 | 7W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
| 공급자 장치 패키지 | PowerPAK® ChipFet Dual |
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제조업체 IXYS 시리즈 - FET 유형 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 180A Rds On (최대) @ Id, Vgs 2.5mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 110nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 - 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 17-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지 ISOPLUS-DIL™ |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 1.13A, 880mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 280mOhm @ 1.13A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 2nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 570mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 SC-70-6 (SOT-363) |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4A Rds On (최대) @ Id, Vgs 45mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1.2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 6.74nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 480pF @ 10V 전력-최대 1W 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 6-UDFN (2x2) |
제조업체 Sanken 시리즈 - FET 유형 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 7A Rds On (최대) @ Id, Vgs 100mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 660pF @ 10V 전력-최대 5W 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 15-SIP 공급자 장치 패키지 15-SIP |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4A Rds On (최대) @ Id, Vgs 58mOhm @ 4.8A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 26nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 665pF @ 10V 전력-최대 3.1W 작동 온도 -50°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
