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SI6966EDQ-T1-GE3

SI6966EDQ-T1-GE3

참조 용

부품 번호 SI6966EDQ-T1-GE3
PNEDA 부품 번호 SI6966EDQ-T1-GE3
설명 MOSFET 2N-CH 20V 8TSSOP
제조업체 Vishay Siliconix
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SI6966EDQ-T1-GE3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SI6966EDQ-T1-GE3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SI6966EDQ-T1-GE3, SI6966EDQ-T1-GE3 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 100.59 KB)
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SI6966EDQ-T1-GE3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs30mOhm @ 5.2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id600mV @ 250µA (Min)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs25nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대1.25W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지8-TSSOP

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드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A, 4.1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

24mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

630pF @ 10V

전력-최대

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

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시리즈

-

FET 유형

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FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

35V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

15-SIP Exposed Tab, Formed Leads

공급자 장치 패키지

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

16.3mOhm @ 9.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 25µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

38nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1740pF @ 25V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

SQ4937EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

75mOhm @ 3.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

480pF @ 25V

전력-최대

3.3W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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8-SOIC

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Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

45mOhm @ 3.9A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

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게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

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