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SI6983DQ-T1-GE3

SI6983DQ-T1-GE3

참조 용

부품 번호 SI6983DQ-T1-GE3
PNEDA 부품 번호 SI6983DQ-T1-GE3
설명 MOSFET 2P-CH 20V 4.6A 8TSSOP
제조업체 Vishay Siliconix
단가 견적 요청
재고 있음 3,870
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 28 - 12월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SI6983DQ-T1-GE3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SI6983DQ-T1-GE3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SI6983DQ-T1-GE3, SI6983DQ-T1-GE3 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 99.09 KB)
PDFSI6983DQ-T1-GE3 데이터 시트 표지
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  • SI6983DQ-T1-GE3 Distributor

SI6983DQ-T1-GE3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈TrenchFET®
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)4.6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs24mOhm @ 5.4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 400µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs30nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대830mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지8-TSSOP

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.5A, 6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

22mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

21nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

900pF @ 20V

전력-최대

900mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

GreenBridge™ PowerTrench®

FET 유형

2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V, 80V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.4A, 2.6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

110mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

210pF @ 50V

전력-최대

2.5W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

12-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

12-MLP (5x4.5)

ALD1102BSAL

Advanced Linear Devices Inc.

제조업체

Advanced Linear Devices Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual) Matched Pair

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

10.6V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

500mW

작동 온도

0°C ~ 70°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

SI4204DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

19.8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.6mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

45nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2110pF @ 10V

전력-최대

3.25W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

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제조업체

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A, 3.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

55mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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장착 유형

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8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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