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SI7674DP-T1-E3

SI7674DP-T1-E3

참조 용

부품 번호 SI7674DP-T1-E3
PNEDA 부품 번호 SI7674DP-T1-E3
설명 MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
제조업체 Vishay Siliconix
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SI7674DP-T1-E3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SI7674DP-T1-E3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
SI7674DP-T1-E3, SI7674DP-T1-E3 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 105.24 KB)
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SI7674DP-T1-E3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs3.3mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs90nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds5910pF @ 15V
FET 기능-
전력 손실 (최대)5.4W (Ta), 83W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지PowerPAK® SO-8
패키지 / 케이스PowerPAK® SO-8

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Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.7A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4V, 5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

270mOhm @ 4.6A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 5V

Vgs (최대)

±10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

490pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta), 42W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D-Pak

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

TP2424N8-G

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

240V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

316mA (Tj)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

200pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.6W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-243AA (SOT-89)

패키지 / 케이스

TO-243AA

SIHD6N62ET1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

E

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

620V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

900mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

34nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

578pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

78W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-252AA

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

FCPF2250N80Z

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

SuperFET® II

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

800V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.6A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.25Ohm @ 1.3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 260µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

14nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

585pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

21.9W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

50A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7.3mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 85µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

46.5nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2170pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

136W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-TO252-3

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