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SI7872DP-T1-E3

SI7872DP-T1-E3

참조 용

부품 번호 SI7872DP-T1-E3
PNEDA 부품 번호 SI7872DP-T1-E3
설명 MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8
제조업체 Vishay Siliconix
단가 견적 요청
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SI7872DP-T1-E3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SI7872DP-T1-E3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SI7872DP-T1-E3, SI7872DP-T1-E3 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 144.17 KB)
PDFSI7872DP-T1-GE3 데이터 시트 표지
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SI7872DP-T1-E3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈LITTLE FOOT®
FET 유형2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)6.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs22mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs11nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대1.4W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스PowerPAK® SO-8 Dual
공급자 장치 패키지PowerPAK® SO-8 Dual

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

33A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

40mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

90nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3700pF @ 25V

전력-최대

125W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

75V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

17A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

50mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

21nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

790pF @ 35V

전력-최대

34W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® SO-8 Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SO-8 Dual

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Alpha & Omega Semiconductor

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

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FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

900mA, 600mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

300mOhm @ 900mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

900mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.9nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

120pF @ 10V

전력-최대

300mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SC-70-6

SSM6N58NU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate, 1.8V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

84mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.8nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

129pF @ 15V

전력-최대

1W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-WDFN Exposed Pad

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

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FET 유형

-

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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